ترانزستورات تأثير المجال Field Effect Transistors (FET) تمكن في عام 1953م مهندسان من مختبرات بيل الأمريكية وهما أين روس (Ian Ross) وجورج ديسي (George Dacey) من تصنيع ترانزستور يعمل بآلية تختلف عن تلك المستخدمة في الترانزستور ثنائي القطبية وهو ترانزستور تأثير المجال ذي الوصلة (Junction Field Effect Transistors (FET)). ويتكون هذا الترانزستور من شريحة من … إقرأ المزيد…
MOSFT
طرق فحص الترانزيستور MOSFET
طرق فحص الترانزيستور MOSFET الترانزستورات MOSFET وخصوصاً القناة n كثيرة الاستخدام في دارات التغذية العاملة في نمط التقطيع سواء كانت بشكل فردي (أي بشكل ترانزستور مستقل) أو كترانزستور مبني ضمن دارة متكاملة مثل عائلة الـSTR في التلفزيونات والشاشات وغيرها من وحدات التغذية .. و من المهم أن نتعرف على طريقة الفحص الستاتيكي لهذا الترانزستور عندما … إقرأ المزيد…
