الصمامات الاليكترونية Electronic Valves Vacuum Tubes لقد تم اختراع أول عنصر فعال في عالم الإلكترونيات وهو الصمام الثنائي (diode) على يد عالم الفيزياء الإنجليزي جون فليمنغ (John Ambrose Fleming) وذلك في عام 1904م. ويتكون الصمام من أنبوب زجاجي مفرغ من الهواء يوجد في داخله عند طرفيه قطبين كهربائيين يسمى أحدهما المهبط (cathode) والآخر المصعد (anode) … [Read more…]
رموز العناصر الكهربائية والاليكترونية
التحكم بسرعة محرك DC بتعديل عرض نبضة الخرج إن هذه الدارة قادرة على تنظيم الجهد 12V الذي يمكن أن يستخدم للتحكم بسرعة محرك DC أو بالإضاءة لمصباح، وذلك من خلال تغيير عرض النبضة المولدة من الدارة 555 والمطبقة على الترانزستور MOSFET الذي يتصرف كقناة ناقلة يزداد مرور التيار فيها بازدياد مستوى الجهد على قاعدته. عن … [Read more…]
إن التطبيقات التي تستخدم الدارة المتكاملة 555 تتعدى اهتماماتنا لكثرتها، لذا سأحاول أ، أدرج قد ما استطعت منها وأعللها وأكللها بكلمات قصيرة علنا أن نجد فيها بلسماً وترياقاً لظمأ عروقنا.. وإليكم أزفها كاشف الظلام : عندما يخيم الظلام على أنحاء المكان سوف يدق الجرس LS . تم توصيل المؤقت 555 ليعمل كمهتز أحادي الاستقرار جعلت … [Read more…]
دارة أضواء متحركة تعمل بجهد الشبكة المتناوبة يبين الشكل التالي دارة أضواء تعمل بجهد الشبة الكهربائية المتناوبة 220V يتم التحكم بها عن طريق مفاتيح تيار متناوب (ترياكات) . تقوم الدارة المتكاملة 555 التي تعمل كمذبذب عديم الاستقرار بتوليد موجة مربعة متحكم بها عن طريق المقاومة VR1 والتي تطبق على مدخل التزامن للدارة المتكاملة 4017 التي … [Read more…]
مفهوم تعديل عرض النبضة يمكن توضيح هذا المفهوم من خلال الشكل التالي.. الإشارة الأولى لها زمن تشغيل متناظر (50%) أي إذا كان الجهد المطبق على الدارة 12V سيكون الجهد على المحرك هو6V والسرعة هي نصف السرعة الاسمية. الإشارة الثانية لها زمن تشغيل (75%) أي إذا كان الجهد المطبق على الدارة 12V سيكون الجهد على المحرك … [Read more…]
1-مقارنة بين مولد موجة مربعة باستخدام 555 وقادح شميث: الشكل التالي يبين دارتين تعطيان في خرجهما موجة مربعة تستطيع أن تغذي تيار حمل بحدود 200mA. إن خرج دارة المؤقت 555 يمكن توصيلها بطريقتين، 1-كمنبع تيار ……. 2-كمصرف تيار. والأشكال التالية توضح ذلك.. 2-مؤقت 10 دقائق: الدارة التالية تبين دارة المؤقت 555 تم توصيله كمهتز أحادي … [Read more…]
المؤقت الزمني556 هذه الدارة المتكاملة هي عبارة عن دارتين 555 ضمن غلاف واحد وبالتالي أصبح لدي مؤقتين ضمن عنصر واحد. تتوزع أقطاب هذه الدارة كما هو مبين على الشكل، كما أن المؤقتين الموجودين فيها مستقلين تماماً عن بعضهما ولا يتأثر احدهما بالآخر وتُعامل وكما لو أن لدي دارتين 555. تخضع هذه الدارة لنفس العلاقات المذكورة … [Read more…]
فحص الدارة متكاملة555 الشكل التالي يبين دارة عملية لفحص الدارة 555 ، حيث أنها تم توصيلها كمذبذب عديم الاستقرار وعند تشغيل الدارة فإنه يجب أن يعمل الثنائيان بالتناوب، الثنائي العلوي يعمل عند الحالة المنطقية “0” لإشارة الخرج والثنائي السفلي يعمل عند الحالة المنطقية “1” لإشارة الخرج. منحنيات الشحن والتفريغ للمكثف: يمكن تلخيص الدارات الأساسيّة للمؤقِّت … [Read more…]
مفهوم دور التشغيل يعرف بأنه نسبة tlow إلى الدور الكلي T وهو مدة بقاء إشارة الخرج عند المستوى المنطقي “0” من دور تلك الإشارة ويحسب من العلاقة: من الملاحظ أنه لا يمكن الحصول على دور تشغيل بنسبة 50%، أي أنه لا يمكن الحصول على موجة مربعة متناظرة إلا في حال كون المقاومة RA صفرية وهذا … [Read more…]
انماط عمل الدارة المتكاملة تعمل الدارة المتكاملة بشكل عام بنمطي عمل مختلفين، نقوم بشرحهما في التفصيل في الفقرة التالية.. 1-نمط المهتز أحادي الاستقرار(LM555 Monostable Oscillator): في هذا النمط فإن الخرج لا ينتقل إلى الحالة المنطقية “H” إلا بعد تطبيق نبضة قدح على مدخل القدح (القطب 2) للدارة 555، والشكل التالي يبين توصيلة المهتز أحادي الاستقرار … [Read more…]
المميزات العامة زمن التوقف عن العمل صغير. تردد التشغيل الأعظمي حتى KHz التوقيت الزمني من عدة مايكرو ثانية وحتى عدة ساعات. يمكن تشغيله كمهتز أحادي الاستقرار يولد نبضة واحدة / مهتز عديم الاستقرار يولد سلسلة غير منتهية من النبضات تتكرر بشكل دوري ومضبوط زمنيا بدقة. تيار خرج عالي بحدود 200 ميللي أمبير . يمكن ضبط … [Read more…]
المؤقت الزمني متعدد الاغراض555 وهو عبارة عن دارة متكاملة نملك ثمانية أقطاب،أنتجته في البداية شركة Signetics Corporation على الشكل SE555/NE555 في العام 1971، يستخدم على نطاق واسع وتطبيقات متعددة نذكرها في هذا البحث إن شاء الله. وصف وتوزع الأقطاب : القطب1 (الأرضي): الأرضي أو المشترك هو الأكثر سلبية بين جهود تغذية الدارة, يوصَل عادةً إلى … [Read more…]
بعض التطبيقات التي تستخدم الترانزستورات IRF511 الدارة التالية عبارة عن مضخم سمعي صنف (A) ، فعند وجود إشارة في الدخل فإن الترانزستور سوف يقوم بتضخيمها .. الدارة التالية هي دارة قيادة حمل (ريليه) ، حيث تعمل الريليه عند تطبيق جهود على البوابة من (6 to 12) فولت ، وتحتاج قاعدة الترانزستور حتى يعمل تياراً أقل … [Read more…]
الترانزستور (IRF511) IRF511 TMOS Power FET Data sheet الترانزستور (IRF511) هو من نوع (N-Channel) ذو بوابة مصنوعة من السليكون من أجل سرعات عالية في التحويل وفي غلاف من الشكل (TO-220) مصمم للجهود المنخفضة من أجل تطبيقات تحتاج لسرعات تحويل عالية مثل المنظمات بالإضافة لاحتوائه على ثنائي داخلي بين المنبع والمصرف من أجل حماية الترانزيستور في … [Read more…]
الجسر H H Bridge Motor control الدارة التالية تستخدم للتحكم بسرعة محركات التيار المستمر ، وتسمى بجسر H .. تحوي الدارة على أربعة ترانزستورات MOSFET تشكل الجسر .. في الحالة الأولى يمر التيار من البطارية ثم خلال (Hi1) ثم المحرك إلى (Lo2) ثم إلى القطب السالب للبطارية وهو السهم الأخضر A .. في الحالة الثانية … [Read more…]
دارة تحكم بالترانزيستور MOS FET The power MOS FET switching circuit الدارة التالية تحوي على ترانزستورات (MOS FET) استطاعية ، حيث تقوم هذه الدارة بتحويل التيار المستمر (DC) إلى تيار متناوب (AC) .. إن المحول يقوم على تحويل التيار المقطع بواسطة الترانزستورات من (12V) إلى (220V) .. تجري عملية التبديل بالتناوب بين مجموعتين من الترانزستورات … [Read more…]
طرق فحص الترانزيستور MOSFET الترانزستورات MOSFET وخصوصاً القناة n كثيرة الاستخدام في دارات التغذية العاملة في نمط التقطيع سواء كانت بشكل فردي (أي بشكل ترانزستور مستقل) أو كترانزستور مبني ضمن دارة متكاملة مثل عائلة الـSTR في التلفزيونات والشاشات وغيرها من وحدات التغذية .. و من المهم أن نتعرف على طريقة الفحص الستاتيكي لهذا الترانزستور عندما … [Read more…]
ترانزستورMOSFET المتمم (CMOS) مصطلح الـCMOS هو اختصار للجملة : Complementary Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor وهو عبارة عن دارة تجمع بين ترانزستورين من نوع ( (N-Channel , P-Channelويكون عمله كالآتي : عندما يكون مستوى الدخل منخفضاً على البوابة (LOW) يعمل الترانزستور P-MOS FET أي الترانزستور ذو القناة P على تمرير التيار من مصدره لمصرفه … [Read more…]
ترانزستور التأثير المجالي والمصنوع من أشباه الموصلات وأكسيد المعادن MOSFET يتركب ترانزستور التأثير المجالي من : طبقة سفلية Substrate وهى إما من النوع N كما بيمين الشكل أو من النوع P كما بيسار الشكل .. منطقتين من بلورتين من نفس النوع بعكس الطبقة السفلية N <==> P ويمثلان طرفين من أطراف الترانزستور وهما المصرف Drain … [Read more…]