الترانزيستور وحيدة الوصلة U.J.T

بنية الترانزيستور وحيدة الوصلة :

يعتبر الترانزيستور وحيدة الوصلة (U.J.T) من العناصر الهامة الشائعة الاستعمال في دارات توليد النبضات ودارات التوقيت ودارات كشف المستوى ، كما أنه يستخدم كمفاتيح متحكم بها جهدياً ولا يستخدم كمضخم .، وكلمة (U.J.T) مشتقة من الكلمة الانكليزيةUnijunction Transistor ) ) ..

يتكون ترانزيستور وحيد الوصلة من قضيب من السيليسيوم نصف الناقل نوع (N) ، يوضع وصلتان في نهايتيه لتشكيل القاعدتين (B1 – B2) ، لذلك يسمى أحياناً بالترانزيستور ذو القاعدتين ، وتوضع طبقة سيليسيوم نصف ناقل نوع (P) في نقطة متوسطة بين القاعدتين أقرب إلى (B1) منها إلى (B2) لتشكل مشع الترانزيستور .

الدارة المكافئة لترانزيستور وحيد الوصلة :
يبين الشكل ، الدارة المكافئة لترانزيستور وحيد الوصلة حيث يمكن اعتباره مبدئياً مكوناً من :

• مقاومة (RB1) تتشكل من القسم بين المشع (E) والقاعدة (B1) .
• مقاومة (RB2) تتشكل من القسم بين المشع (E) والقاعدة (B2) .
• ثنائي بين المشع (E) الذي يشكل المنطقة (B) للثنائي وجسم الترانزيستور الذي يشكل المنطقة (N) للثنائي .

يطبق كمون التغذية (VBB) بين القاعدتين على أن يكون انحياز (استقطاب) (B2) موجباً بالنسبة إلى (B1) وعلى ذلك يصبح كمون الوصلة ((VB1 بين المشع (E) والقاعدة (B1) عبارة عن جزء من كمون التغذية (VBB) ويعطى بالعلاقة :  

V_B1 = _. V_BB

وتأخذ () قيماً أقل من الواحد دائماً ، وتتوقف على موقع المشع على قضيب السيليسيوم .

نميز الآن الحالتين التاليتين :

1. كمون المشع (E) أصغر من (VB1) : تصبح الوصلة بين (E) و (B1) في حالة توصيل عكسي ويمر في الوصلة تيار تسريب صغير وتصبح المقاومة بين القاعدتين كبيرة .
2. كمون المشع (E) أكبر من (VB1) : تصبح الوصلة بين (E) و (B1) في حالة توصيل أمامي ويمر تيار كبير من الفراغات من المنطقة (P) باتجاه المنطقة (N) ومن الالكترونات الحرة من المنطقة (N) باتجاه المنطقة (P) فتصغر بذلك المقاومة بين القاعدتين كثيراً ، لذلك يمكن اعتبار الوصلة بين المشع ((E والقاعدة ((B1 مقاومة متغيرة تعتمد في قيمتها على انحياز (استقطاب) المشع .

تتراوح قيمة المقاومة بين القاعدتين في الترانزيستور وحيد الوصلة من (K5) إلى (10 K) ويمكن حساب قيمة الكمون (VB1) بالاستعانة بقانون أوم كما يلي :

إن الكمون اللازم حتى يصبح الترانزيستور وحيد الوصلة في حالة توصيل يساوي الكمون (الساكن المستمر) على المقاومة (RB1 ) مضافاً إليه كمون الانحياز الأمامي والذي يساوي لثنائيات السيليسيوم حوالي ( (VD=0.7V..

إذاً :

يسمى الكمون (VP) كون القمة أو التشغيل ..

مثال : في الدارة المكافئة السابقة إذا كان كمون التغذية (VBB=30V) ، وكمون الانحياز الأمامي للثنائي (VD=0.7V) ، وإذا علمت أن (=0.6) ، أحسب قيمة كمون القمة (VP) ..

الحل :

VP=VD+.VBB=0.7+(0.6×30)

VP=0.7+18=18.7V