ترانزيستور تأثير المجال مميزات وانواع ترانزيستور تأثير المجال 1-ترانزيستور تأثير المجال ذو الصلة 2-ترانزيستور تأثير المجال نوع الاكسيد المعدني
ترانزيستور تأثير المجال
ترانزستورات تأثير المجال
ترانزستورات تأثير المجال Field Effect Transistors (FET) تمكن في عام 1953م مهندسان من مختبرات بيل الأمريكية وهما أين روس (Ian Ross) وجورج ديسي (George Dacey) من تصنيع ترانزستور يعمل بآلية تختلف عن تلك المستخدمة في الترانزستور ثنائي القطبية وهو ترانزستور تأثير المجال ذي الوصلة (Junction Field Effect Transistors (FET)). ويتكون هذا الترانزستور من شريحة من … إقرأ المزيد…