الترانزيستور احادي الوصلة المبرمج مبدأ العمل منحنى الخصائص التحكم تطبيقات
الترانزيستور
تطبيقات الترانزيستور احادي الوصلة
تطبيقات الترانزيستور احادي الوصلة 1-دارة مذبذب التراخي 2-دارة مذبذب متعدد الاهتزاز احادي الاستقرار
الترانزيستور احادي الوصلة
الترانزيستور احادي الوصلة تركيب الترانزيستور احادي الوصلة ومبدأ عمله الدارة المكافئة للترانزيستور احادي الوصلة قدح الترانزيستور احادي الوصلة منحنى الخصائص للترانزيستور احادي الوصلة
دارات الترانزيستور تأثير المجال
دارات الترانزيستور تأثير المجال 1-دارة المنبع المشترك 2-دارة البوابة المشتركة 3-دارة المصرف المشترك
انحياز الترانزيستور
انحياز الترانزيستور التأثيرات الحرارية في الترانزيستور
منحنيات خواص الترانزيستور
منحنيات خواص الترانزيستور 1-منحنيات الدخل 2-منحنيات الخرج 1-المنطقة الفعالة 2-منطقة القطع 3-منطقة التشبع
دارات الترانزيستور الاساسية
دارات الترانزيستور الاساسية 1-دارة الباعث المشترك 2-دارة القاعدة المشتركة 3-دارة المجمع المشترك(تابع الباعث) المواصفات الفنية للترانزيستور
استخدامات الترانزستورات
استخدامات الترانزستورات لم يكن أحد يتوقع أن يقوم هذا الترانزستور البسيط بهذا الدور البالغ في حياة البشر وأن تظهر بسببه تطبيقات لم تكن لتخطر على بال مخترعيه ولا حتى على بال كتاب الخيال العلمي. إن الوظيفة الأساسية للترانزستور هي وظيفة في غاية البساطة وهي قدرته على التحكم بالتيار المار بين طرفين من أطرافه من خلال … إقرأ المزيد…
المؤقت الزمني متعدد الاغراض 555
المؤقت الزمني متعدد الاغراض555 وهو عبارة عن دارة متكاملة نملك ثمانية أقطاب،أنتجته في البداية شركة Signetics Corporation على الشكل SE555/NE555 في العام 1971، يستخدم على نطاق واسع وتطبيقات متعددة نذكرها في هذا البحث إن شاء الله. وصف وتوزع الأقطاب : القطب1 (الأرضي): الأرضي أو المشترك هو الأكثر سلبية بين جهود تغذية الدارة, يوصَل عادةً إلى … إقرأ المزيد…
تطبيقات على استخدام ترانزيستور IRF511
بعض التطبيقات التي تستخدم الترانزستورات IRF511 الدارة التالية عبارة عن مضخم سمعي صنف (A) ، فعند وجود إشارة في الدخل فإن الترانزستور سوف يقوم بتضخيمها .. الدارة التالية هي دارة قيادة حمل (ريليه) ، حيث تعمل الريليه عند تطبيق جهود على البوابة من (6 to 12) فولت ، وتحتاج قاعدة الترانزستور حتى يعمل تياراً أقل … إقرأ المزيد…
الترانزستور (IRF511)
الترانزستور (IRF511) IRF511 TMOS Power FET Data sheet الترانزستور (IRF511) هو من نوع (N-Channel) ذو بوابة مصنوعة من السليكون من أجل سرعات عالية في التحويل وفي غلاف من الشكل (TO-220) مصمم للجهود المنخفضة من أجل تطبيقات تحتاج لسرعات تحويل عالية مثل المنظمات بالإضافة لاحتوائه على ثنائي داخلي بين المنبع والمصرف من أجل حماية الترانزيستور في … إقرأ المزيد…
دارة التحكم بالترانزيستور MOSFET
دارة تحكم بالترانزيستور MOS FET The power MOS FET switching circuit الدارة التالية تحوي على ترانزستورات (MOS FET) استطاعية ، حيث تقوم هذه الدارة بتحويل التيار المستمر (DC) إلى تيار متناوب (AC) .. إن المحول يقوم على تحويل التيار المقطع بواسطة الترانزستورات من (12V) إلى (220V) .. تجري عملية التبديل بالتناوب بين مجموعتين من الترانزستورات … إقرأ المزيد…
طرق فحص الترانزيستور MOSFET
طرق فحص الترانزيستور MOSFET الترانزستورات MOSFET وخصوصاً القناة n كثيرة الاستخدام في دارات التغذية العاملة في نمط التقطيع سواء كانت بشكل فردي (أي بشكل ترانزستور مستقل) أو كترانزستور مبني ضمن دارة متكاملة مثل عائلة الـSTR في التلفزيونات والشاشات وغيرها من وحدات التغذية .. و من المهم أن نتعرف على طريقة الفحص الستاتيكي لهذا الترانزستور عندما … إقرأ المزيد…
الترانزيستورات احادية القطبية
ترانزيستور تأثير المجال FET(Field-Effect) : هو عنصر كهربائي يفضل استعماله كمفتاح أو كمكبر للإشارات الصغيرة .. أنواعه : يشكل ترانزستور “FET” مجموعتين : ذو الطبقة الحاجزة (PN-FET) .. ذو الأكسيد المعدني (MOSFET) .. وتنقسم المجموعتين إلى صنفين : موجب القنال ( P ) .. سالب القنال ( N ) .. البنية الداخلية وطريقة العمل : … إقرأ المزيد…
منحنيات الخواص المميزة للترانزستور وحيد الوصلة
منحنيات الخواص المميزة للترانزستور وحيد الوصلة : إذا جعلنا كمون دخل الترانزستور (VEB1) في الدارة المكافئة السابقة يتغير بدءً من الصفر بقيم متزايدة .. عندما يكون كمون الدخل (VEB1) مساوياً الصفر ، فإنه يمر في الترانزستور تيار تسريب عكسي تحدد قيمته على المنحني بالنقطة (A) .. إن الزيادة المستمرة في الكمون (VEB1) تؤدي إلى نقصان … إقرأ المزيد…
الترانزيستور وحيدة الوصلة
الترانزيستور وحيدة الوصلة U.J.T بنية الترانزيستور وحيدة الوصلة : يعتبر الترانزيستور وحيدة الوصلة (U.J.T) من العناصر الهامة الشائعة الاستعمال في دارات توليد النبضات ودارات التوقيت ودارات كشف المستوى ، كما أنه يستخدم كمفاتيح متحكم بها جهدياً ولا يستخدم كمضخم .، وكلمة (U.J.T) مشتقة من الكلمة الانكليزيةUnijunction Transistor ) ) .. يتكون ترانزيستور وحيد الوصلة من … إقرأ المزيد…
الترانزستور دارلنكتون (Darlington)
الترانزستور دارلنكتون (Darlington) وهو عبارة عن ترانزستورين بغلاف واحد وفقط بثلاث أطراف خارجية ، ويمتاز بربح تيار علي (10000) ، وباستقرارية عالية .. إن القيمة الفعالة لـ (hfe) أكبر بكثير من (hfe) لترانزستور واحد ولذلك نحصل على ربح تيار عالي .. يتوفر هذا الترانزستور بالنوعين (D-npn) و(D-pnp) .. يمكن الحصول على ترانزستور دارلنكتون من ترانزستورين … إقرأ المزيد…
طرق فحص الترانزيستور ومعرفة نوعه
طرق فحص الترانزستور ومعرفة نوعه : الترانزستور كما رأينا على نوعين : NPN : ويكون سهم الباعث متجه نحو الخارج . PNP : ويكون سهم الباعث نحو الداخل . يمثل الترانزستور بديودين موصولين على التضاد .. قبل فحص الترانزستور يجب علينا معرفة أقطابه ويمكننا ذلك من خلال مقياس الآفو متر على مجال الأوم كمايلي: بين … إقرأ المزيد…
ضبط نقطة التشغيل في الترانزيستور
ضبط نقطة التشغيل في الترانزيستور : هي الوصول إلى الشكل المثالي للموجة في مخرج الترانزيستور .. وتتشكل نقطة التشغيل من الجهود التالية للترانزيستور : جهد القاعدة – المشع وجهد المجمع – المشع ، ويكوّن الجهد بين المجمع والمشع فرق الجهد بين جهد التشغيل وبين ما ينحدر من جهد في المقاومتين ، أي يكبر نصف الموجة … إقرأ المزيد…
مضخمات التيار المستمر والمتناوب الترانزيستورية
مضخمات التيار المستمر والمتناوب الترانزستورية الدوائر المكبرة : رغم التقدم السريع للدوائر المتكاملة فإن الترانزيستور ثنائي القطبية لم يزل وسيظل كمكون مفرد مهم وضروري في الدوائر الإليكترونية ، خاصة في حل مشاكل الملائمة بين مداخل ومخارج الدوائر المتكاملة . ويستعمل الترانزيستور كثيرا في الدوائر المكبرة المختلفة ، وهي تنقسم إلى : مكبرات جهد مستمر ….. … إقرأ المزيد…
