ترانزستورات الوصلة ثنائية القطبية Bipolar Junction Transistors (BJT) يتم تصنيع هذا النوع من الترانزستورات من خلال تطعيم ثلاث مناطق متجاورة على بلورة نقية من السيليكون بحيث يكون التطعيم إما على شكل (سالب_موجب_ سالب)(NPN) أو على شكل (موجب_سالب_موجب) (PNP). ويتم توصيل أقطاب معدنية بهذه المناطق الثلاثة حيث يسمى القطب الموصول بالمنطقة الوسطى بالقاعدة (Base) بينما تسمى … إقرأ المزيد…
الترانزيستورات
الترانزيستورات
الترانزستورات (Transistors) لقد تم التغلب على جميع عيوب الصمام الإلكتروني بإختراع الترانزستور في عام 1947م وذلك على يد ثلاثة من الفيزيائيين الأميركيين العاملين في مختبرات بيل الأمريكية وهم جون باردين (John Bardeen) وولتر براتين (Walter Brattain) ووليم شوكلى (William Shockley) والذين حصلوا على جائزة نوبل في عام 1956م تقديرا لجهودهم على هذا الإنجاز العظيم. والترانزستور … إقرأ المزيد…
معطيات الوصلات الاساسية للترانزيستورات
معطيات الوصلات الاساسية للترانزيستورات – المعاوقة : (مفاعله حثيه + مفاعله سعة + مقاومة أومية ) ..
