الترانزيستور التأثير المجالي المصنوع من اشباه الموصلات

ترانزستور التأثير المجالي والمصنوع من أشباه الموصلات وأكسيد المعادن MOSFET يتركب ترانزستور التأثير المجالي من : طبقة سفلية Substrate وهى إما من النوع N كما بيمين الشكل أو من النوع P كما بيسار الشكل .. منطقتين من بلورتين من نفس النوع بعكس الطبقة السفلية N <==> P ويمثلان طرفين من أطراف الترانزستور وهما المصرف Drain … [Read more…]

















