طرق فحص الترانزيستور MOSFET

 الترانزستورات MOSFET وخصوصاً القناة n كثيرة الاستخدام في دارات التغذية العاملة في نمط التقطيع سواء كانت بشكل فردي (أي بشكل ترانزستور مستقل) أو كترانزستور مبني ضمن دارة متكاملة مثل عائلة الـSTR
في التلفزيونات والشاشات وغيرها من وحدات التغذية ..

و من المهم أن نتعرف على طريقة الفحص الستاتيكي لهذا الترانزستور عندما يكون خارج الدارة وبواسطة مقياس الأوم ..

المبدأ بسيط و هام جداً ، لأن الكثير لا يعرفون طريقة فحص هذه الترانزستورات الشائعة في الأجهزة الحديثة ..

• نصل الطرف الموجب للمقياس إلى المصرف و الطرف السالب إلى المصدر ، بينما نترك البوابة حرة وبالتالي يجب أن تكون الممانعة عالية جداً أو لا نهاية ..
• الآن نصل الطرف الموجب للمقياس إلى البوابة مع المحافظة على الطرف السالب للمقياس على المصدر أي سوف نشحن مكثفة البوابة ..
• الآن نعيد الاختبار في الخطوة الأولى يجب أن نحصل على ممانعة صغيرة للغاية ..
• نفرغ البوابة بلمس قطبي المصدر و البوابة فيعود الترانزستور لحالته الأساسية ..
  فحص ترانزيستور MOSFET (طريقة ثانية):
  

  يجرى هذا الفحص باستخدام مقياس آفو رقمي موضوع على مجال فحص الديود وعلى مجال يُطبَّق فيهِ جهد أكبر من 3.3 فولت ..

  • وصِّل “المنبع” في الترانزيستور إلى الطرف السالِب من المقياس ..
  • أمسِك الترانزيستور من غلافِه و لا تلمِس الأجزاء المعدنيّة من مجسّات القياس بأي من أطراف الترانزيستور إلا عند الحاجة لذلِك و لا تجعل الترانزيستور يُلامِس ملابِسكَ أو الأشياء المصنوعة من البلاستيك .. لأنَّ هذِه المواد تولِّد جهود ساكِنة مرتفِعة ..
  • في البدء إلمِس سلك المجس الموجِب بـ”بوابة ” الترانزيستور ثم ضَع المجس السالِب على “المصرف” يجِب أن يُعطي المقياس قراءة منخفِضة , وبهذا تكون المكثِفة الداخليّة على بوابة الترانزيستور قد شُحِنَت عن طريق المقياس و يكون الترانزيستور “مشغَّلاً “..
  • حافِظ على وضع السلك الموجب للمقياس على المصرف , و ضع إصبعك بين المنبع و البوابة والمصرف أيضاً ، إذا أردت ، ستُفرِّغ البوابة عن طريق إصبعك وستكون قراءة المقياس مرتفعة تعني هذه القراءة أن الجسم غير ناقل ..

  القياس السابق هو عبارة عن فحص جهد القطع في الترانزيستور , الذي يكون في العادة أكبر جهد يُطبَّق على البوابة بدون أن تُصبح ناقِلة .

  هذا الإجراء ليس دقيقاً 100% إلا أنَّهُ كافٍ ..
  
  

  عندما يتعطِّل ترانزيستور MOSFET فعادةً يكون السبب هو قصر المصرف إلى البوّابة , وهذا يؤدي إلى إعادة جهد المصرف إلى البوابة ومنها إلى التغذية التي تأتي عن طريق مقاومة البوابة ، وقد تؤدي إلى تُخريب منبع التغذية وأي ترانزستورات MOSFET مربوطة بواباتها معه على التفرُّع ..

  لهذا عندما يتعطل ترانزيستور MOSFET يفضل فحص منبع التغذية أيضاً , لهذا السبب يضاف عادةً ديود زينر بين البوابة والمنبع , سوف يعمل هذا الترانزيستور قصر دارة و يحد من الأخطار الناتجة عن الأعطال .. يمكِن أيضاً إضافة مقاومات صغيرة إلى القاعدة التي ستعمل دارة مفتوحة عندما تتعطَل (مثل عمل الفاصمة المنصهرة) بنتيجة تعرضها لجهد مرتفِع و بالتالي تؤدي إلى فصل بوابة الترانزيستور ..

  

  عادةً يعطي ترانزيستور MOSFET ناراً أو ينفجر عندما يتعطَّل حتى في دارات الهواة , و هذا يعني أنّ الترانزيستور المعطوب يمكِن كشفُهُ بالنظر , حيث سيكون مكان الثقب فيه على لوحة الدارة محروقاً أو ستلاحِظ وجود السواد في مكانٍ ما حولَهُ , لقد رأيتُ هذهِ الأشكال كثيراً في وحدات التغذية التي لا تنقطع UPS التي قد تحوي أكثر من ثمانية ترانزستورات MOSFET على التوازي ، وعادةً ما نحتاج إلى استبدالِهِم جميعاً بالإضافة إلى دارة قيادتِهِم ..

  أبداً .. لا تستخدِم كاوي لحام عادي في لحام ترانزستورات MOSFET , بل استخدِم منصّة لِحام احترافيّة ESD خاصّة محميّة ..

  
  

  
  
  

  رموز ومميزات خرج ترانزستورات MOSFET نوع معزِّز
  
  

  رموز ومميزات خرج ترانزستورات MOSFET نوع مقلل