تقنيات صناعة انصاف النواقل

مع بدايات الثمانينات استبدلت بوابات الترانزيستورات المصنعة من الالمنيوم ببوابات polysilicon والتي ادت الى تحسين كبير في تقنية CMOS حيث انها مكنت من استخدام نوعين من الترانزيستورات NMOS ,PMOS على نفس الشريحة السليكونية وبالتالي اصبحت عملية التصنيع اسهل كما ان استهلاك الطاقة اصبح اخفض وهذا جميعه ساعد في تصميم دارات متكاملة اصغر حجما الجدول يبين اجيال التقنيات المستخدمة في بناء الدارات المتكاملة

 ان متوسط نصف حجم الترانزيستور على الشريحة السلكونية يطلق عليه process tecnology وهو الذي يتضاعف وفق قانون moor كل سنتين فمثلا من اجل تقنية التصنيع 65 mn فأن عشرات الالاف من الترانزيستورات يمكن ان تتسع في مساحة تعادل مساحة خلية دم حمراء يمكن لعشر ملايين ترانزيستور ان تتسع في مساحة تعادل 1mm مربع الشكل يبين صورة ميكروية لترانزيستور على شريحة سليكونية للمعالج lntel-qued-core يعتمد تقنية 65 mn ونجد ان متوسط نصف حجم المساحة هو 35 mn 

<p style%